Samsung impulsa la IA con su nueva generación de chips HBM4 y HBM4E
Seúl. – Samsung Electronics presentó su nueva línea de memorias de alto rendimiento HBM4 y HBM4E, diseñadas para acelerar los sistemas de inteligencia artificial (IA) de próxima generación. El anuncio se realizó durante la conferencia Nvidia GTC 2026 en California, un evento clave para la industria tecnológica y donde la empresa surcoreana es socio estratégico del gigante estadounidense.
Esta presentación marca la primera vez que Samsung muestra públicamente las mejoras de sus chips HBM4, desarrollados específicamente para la plataforma de IA Vera Rubin de Nvidia.
HBM4: producción en masa y velocidades superiores al estándar
Samsung confirmó que la HBM4 ya entró en producción en masa y alcanza velocidades constantes de 11,7 Gbps, superando ampliamente el estándar de la industria, fijado en 8 Gbps. La compañía aseguró que el rendimiento puede escalar hasta 13 Gbps, lo que permitirá acelerar aplicaciones avanzadas de IA que requieren un procesamiento intensivo.
“Se espera que la HBM4 de Samsung impulse el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento constantes y superiores al estándar”, indicó la empresa en un comunicado.
HBM4E: el sucesor que eleva aún más el rendimiento
Además del anuncio principal, Samsung presentó por primera vez la HBM4E, sucesora directa de la HBM4. Este nuevo modelo ofrecerá:
- Hasta 16 Gbps por pin
- 4.0 terabytes por segundo de ancho de banda
Estas capacidades la posicionan como una de las memorias más rápidas del mercado, orientada a cargas de trabajo de IA cada vez más complejas.
Nuevos discos duros y memorias para soportar la demanda
Para complementar esta nueva generación de chips, Samsung también reveló discos duros ultrarrápidos y memorias para servidores, diseñados para manejar mayores capas de información con menor resistencia térmica. Según la compañía, estos dispositivos reducen la resistencia térmica en más de un 20 %, lo que mejora la eficiencia y estabilidad en entornos de alto rendimiento.